芯片拉拔力测试机

　　 8月12日消息 英飞凌科技宣布，已为下一代使用DDR2的DRAM组件成功测试了业界首颗先进内存缓冲器(AMB)测试。这种AMB是FB-DIMMs的核心，而FB-DIMM则将会是服务器内存的新标准。DDR2 DRAM的FB-DIMM工程测试样本计划在2004年第4季推出，而正式上市则计划在2005年的下半年。

　　FB-DIMM通道架构在内存控制器与通道上的第一个组件之间、以及通道上的后续的组件之间，引进了点对点的连结。如此一来，总线负载就独立在DRAM输入输出(IO)速度之外，因此能以高速DRAM来促成内存的高容量。这种位在每个FB-DIMM上的AMB芯片收集与分配在DIMM上的DRAM之间往返的资料、在芯片的内部进行资料缓冲、然后接收资料或是把资料转送到下一个DIMM 或是内存控制器。因此，这种缓冲芯片对于FB-DIMM内存架构的开发是具有关键性的。

　　英飞凌内存事业集团的资深产品行销总监Carsten Gatzke博士说，将成为完全缓冲化DIMM的领导厂商，且预期将在高利润、高销售的服务器与工作站市场达成一项重大的销售额度。

　　的先进芯片部的副总裁暨总经理 Macdon ald说，这种新式的完全缓冲化技术的规格，经过了联合电子装置工程协会(Jedec)的标准化，提供绝佳的机会来同时增加DIMM的速度与服务器平台上内存的容量。FB-DIMM也为DDR2升级到DDR3 DRAM时代提供顺利的过渡。将有潜力成为2006年以及往后的一项重要的新服务器技术。

　　英飞凌的AMB测试芯片首度把关键性的高速输入/输出阶段与其它的高速功能一起执行，例如是英飞凌本身的逻辑制程(logic process)技术中的资料插入(data- insertion)与资料转送 (data-forwarding)〉线路。这种FB-DIMM标准预见到一项六倍的资料多工以及更高的速度来减少内存通道的实体宽度，而且把传输延迟(throughput latency)。

　　此外，JEDEC的标准DDR2 800每支4.8 Gb/s输入/输出针所需要的最高资料传输率，英飞凌的AMB测试芯片的速度已达6.0 Gb/s，因此提供足够的系统空间 (system margin)，且确保最低的bit-error率。英飞凌藉由这项重大的开发成就，现在则能够以从现实中所衡量到的数据，来使线路的设计更为的最佳化。

　　英飞凌结合本身对于高频芯片设计与DRAM技术的专精来执行完整的解决，从而在AMB与FB-DIMMs的开发上获得领导地位。